BSM75GB170DN2HOSA1

Číslo dielu výrobcu:	BSM75GB170DN2HOSA1
Výrobca:	Rochester Electronics
Časť popisu:	IGBT, 110A I(C), 1700V V(BR)CES,
Technické listy:	BSM75GB170DN2HOSA1 Technické listy
Stav bez olova / stav RoHS:	Bezolovnatý / V súlade s RoHS
Stav skladu:	Skladom
Odoslať z:	Hong Kong
Spôsob prepravy:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

POZNÁMKA: Rochester Electronics BSM75GB170DN2HOSA1 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	-
Balíček	Bulk
Stav časti	Active
Typ IGBT	-
Konfigurácia	Half Bridge
Napätie - porucha emitenta kolektora (max.)	1.7 V
Prúd - zberač (Ic) (max.)	110 A
Výkon - max	625 W
Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 75A
Prúd - obmedzenie zberača (max.)	-
Vstupná kapacita (Cies) @ Vce	11 nF @ 25 V
Vstup	Standard
NTC termistor	No
Prevádzková teplota	150°C (TJ)
Typ montáže	Chassis Mount
Balenie / puzdro	Module
Balík zariadení dodávateľa	Module

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 1015

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	BSM75GB60DLCHOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GAR120DN2HOSA1 Rochester Electronics
	BSM75GD120DLCBOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GB120DN2HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GP60BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GB120DLCHOSA1 Rochester Electronics
	BSM75GAL120DN2HOSA1 Rochester Electronics
	BSM75GB170DN2HOSA1 Rochester Electronics
	BSM75GD60DLCBOSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSM75GB120DN2_E3223C-SE Rochester Electronics

Táto položka bola pridaná do košíka.