BSM180C12P3C202

POZNÁMKA: ROHM Semiconductor BSM180C12P3C202 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	-
Balíček	Bulk
Stav časti	Active
Typ FET	N-Channel
Technológie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	180A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	-
Rds On (max.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max.)	+22V, -4V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	9000 pF @ 10 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	880W (Tc)
Prevádzková teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa	Module
Balenie / puzdro	Module

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 2

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor
	BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor

Táto položka bola pridaná do košíka.