BSM300C12P3E201

POZNÁMKA: ROHM Semiconductor BSM300C12P3E201 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	-
Balíček	Bulk
Stav časti	Active
Typ FET	N-Channel
Technológie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	300A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	-
Rds On (max.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max.)	+22V, -4V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	15000 pF @ 10 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	1360W (Tc)
Prevádzková teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa	Module
Balenie / puzdro	Module

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 4

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
	BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

Táto položka bola pridaná do košíka.