DF11MR12W1M1PB11BPSA1

Číslo dielu výrobcu:	DF11MR12W1M1PB11BPSA1
Výrobca:	IR (Infineon Technologies)
Časť popisu:	MOSFET MODULE 1200V
Technické listy:	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 Technické listy
Stav bez olova / stav RoHS:	Bezolovnatý / V súlade s RoHS
Stav skladu:	Skladom
Odoslať z:	Hong Kong
Spôsob prepravy:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

POZNÁMKA: IR (Infineon Technologies) DF11MR12W1M1PB11BPSA1 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	EasyPACK™
Balíček	Tray
Stav časti	Active
Typ FET	2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	50A (Tj)
Rds On (max.) @ Id, Vgs	22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	3680pF @ 800V
Výkon - max	20mW
Prevádzková teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Chassis Mount
Balenie / puzdro	Module
Balík zariadení dodávateľa	AG-EASY1B-2

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 30

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics
	DF11MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

Táto položka bola pridaná do košíka.