FS45MR12W1M1B11BOMA1

Číslo dielu výrobcu:	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Výrobca:	IR (Infineon Technologies)
Časť popisu:	MOSFET MODULE 1200V 50A
Technické listy:	FS45MR12W1M1B11BOMA1 Technické listy
Stav bez olova / stav RoHS:	Bezolovnatý / V súlade s RoHS
Stav skladu:	Skladom
Odoslať z:	Hong Kong
Spôsob prepravy:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

POZNÁMKA: IR (Infineon Technologies) FS45MR12W1M1B11BOMA1 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	CoolSiC™+
Balíček	Tray
Stav časti	Active
Typ FET	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funkcia FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	25A (Tj)
Rds On (max.) @ Id, Vgs	45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	1840pF @ 800V
Výkon - max	20mW (Tc)
Prevádzková teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Chassis Mount
Balenie / puzdro	Module
Balík zariadení dodávateľa	AG-EASY1BM-2

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 58

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	FS45MR12W1M1B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)

Táto položka bola pridaná do košíka.