GeneSiC Semiconductor / 1N3889R
Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok
1N3889R
| Číslo dielu výrobcu: | 1N3889R |
| Výrobca: | GeneSiC Semiconductor |
| Časť popisu: | DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 |
| Technické listy: | 1N3889R Technické listy |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V súlade s RoHS |
| Stav skladu: | Skladom |
| Odoslať z: | Hong Kong |
| Spôsob prepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- GeneSiC Semiconductor 1N3889R je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.
Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.
Špecifikácia
| Typ | Popis |
|---|---|
| Séria | - |
| Balíček | Bulk |
| Stav časti | Active |
| Typ diódy | Standard, Reverse Polarity |
| Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.) | 50 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak | 1.4 V @ 12 A |
| Rýchlosť | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Čas spätného zotavenia (trr) | 200 ns |
| Prúd - spätný únik @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Kapacita @ Vr, F | - |
| Typ montáže | Chassis, Stud Mount |
| Balenie / puzdro | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Balík zariadení dodávateľa | DO-4 |
| Prevádzková teplota - križovatka | -65°C ~ 150°C |
Stav skladu: 1976
Minimum: 1
| Množstvo | Jednotková cena | Ext. cena |
|---|---|---|
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ |
||
Výpočet prepravného
40 USD od spoločnosti FedEx.
Príďte o 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne
Populárne modely
Pridané do košíka!
Táto položka bola pridaná do košíka.