GT30J121(Q)

Číslo dielu výrobcu:	GT30J121(Q)
Výrobca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Časť popisu:	IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Technické listy:	GT30J121(Q) Technické listy
Stav bez olova / stav RoHS:	Bezolovnatý / V súlade s RoHS
Stav skladu:	Skladom
Odoslať z:	Hong Kong
Spôsob prepravy:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

POZNÁMKA: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q) je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	*
Balíček	Tube
Stav časti	Active
Typ IGBT	-
Napätie - porucha emitenta kolektora (max.)	600 V
Prúd - zberač (Ic) (max.)	30 A
Prúd - zberač impulzný (Icm)	60 A
Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 30A
Výkon - max	170 W
Prepínanie energie	1mJ (on), 800µJ (off)
Typ vstupu	Standard
Gate Charge	-
Td (zap / vyp) pri 25 ° C	90ns/300ns
Podmienka testu	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Čas spätného zotavenia (trr)	-
Prevádzková teplota	-
Typ montáže	Through Hole
Balenie / puzdro	TO-3P-3, SC-65-3
Balík zariadení dodávateľa	TO-3P(N)

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Doručenie v ten istý deň

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	GT30J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Táto položka bola pridaná do košíka.