PHD22NQ20T,118

POZNÁMKA: NXP Semiconductors PHD22NQ20T,118 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	TrenchMOS™
Balíček	Tape & Reel (TR)
Stav časti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technológie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	21.1A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	10V
Rds On (max.) @ Id, Vgs	120mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	1380 pF @ 25 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	150W (Tc)
Prevádzková teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa	DPAK
Balenie / puzdro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Doručenie v ten istý deň

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

Táto položka bola pridaná do košíka.