G2R1000MT17D

POZNÁMKA: GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	G2R™
Balíček	Tube
Stav časti	Active
Typ FET	N-Channel
Technológie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	4A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	20V
Rds On (max.) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max.)	+20V, -5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	139 pF @ 1000 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	53W (Tc)
Prevádzková teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balík zariadení dodávateľa	TO-247-3
Balenie / puzdro	TO-247-3

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Doručenie v ten istý deň

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor

Táto položka bola pridaná do košíka.