G3R350MT12D

POZNÁMKA: GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	G3R™
Balíček	Tube
Stav časti	Active
Typ FET	N-Channel
Technológie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	11A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	15V
Rds On (max.) @ Id, Vgs	420mOhm @ 4A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 15 V
Vgs (max.)	±15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	334 pF @ 800 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	74W (Tc)
Prevádzková teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balík zariadení dodávateľa	TO-247-3
Balenie / puzdro	TO-247-3

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 1167

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor

Táto položka bola pridaná do košíka.