RM21N650T7

POZNÁMKA: Rectron USA RM21N650T7 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	-
Balíček	Tube
Stav časti	Active
Typ FET	N-Channel
Technológie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	21A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	10V
Rds On (max.) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max.)	±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	1950 pF @ 50 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	200W (Tc)
Prevádzková teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balík zariadení dodávateľa	TO-247
Balenie / puzdro	TO-247-3

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Doručenie v ten istý deň

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

Táto položka bola pridaná do košíka.