GeneSiC Semiconductor / GA03JT12-247
Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok
GA03JT12-247
| Číslo dielu výrobcu: | GA03JT12-247 |
| Výrobca: | GeneSiC Semiconductor |
| Časť popisu: | TRANS SJT 1200V 3A TO247AB |
| Technické listy: | GA03JT12-247 Technické listy |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V súlade s RoHS |
| Stav skladu: | Skladom |
| Odoslať z: | Hong Kong |
| Spôsob prepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.
Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.
Špecifikácia
| Typ | Popis |
|---|---|
| Séria | - |
| Balíček | Tube |
| Stav časti | Obsolete |
| Typ FET | - |
| Technológie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 3A (Tc) (95°C) |
| Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | - |
| Rds On (max.) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 3A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | - |
| Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | - |
| Funkcia FET | - |
| Strata výkonu (max.) | 15W (Tc) |
| Prevádzková teplota | 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balík zariadení dodávateľa | TO-247AB |
| Balenie / puzdro | TO-247-3 |
Stav skladu: Doručenie v ten istý deň
Minimum: 1
| Množstvo | Jednotková cena | Ext. cena |
|---|---|---|
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ |
||
Výpočet prepravného
40 USD od spoločnosti FedEx.
Príďte o 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne
Populárne modely
 |
GeneSiC Semiconductor |
Pridané do košíka!
Táto položka bola pridaná do košíka.