BSZ105N04NSGATMA1

POZNÁMKA: Rochester Electronics BSZ105N04NSGATMA1 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	OptiMOS™
Balíček	Bulk
Stav časti	Active
Typ FET	N-Channel
Technológie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	11A (Ta), 40A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	10V
Rds On (max.) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	1.3 pF @ 20 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Prevádzková teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa	PG-TSDSON-8
Balenie / puzdro	8-PowerTDFN

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Doručenie v ten istý deň

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	BSZ130N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ120P03NS3EGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ130N03MSG Rochester Electronics
	BSZ110N06NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ16DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ105N04NSGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ160N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ12DN20NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ180P03NS3EGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Táto položka bola pridaná do košíka.