ROHM Semiconductor / RUU002N05T106
Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok
RUU002N05T106
| Číslo dielu výrobcu: | RUU002N05T106 |
| Výrobca: | ROHM Semiconductor |
| Časť popisu: | MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3 |
| Technické listy: | RUU002N05T106 Technické listy |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V súlade s RoHS |
| Stav skladu: | Skladom |
| Odoslať z: | Hong Kong |
| Spôsob prepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- ROHM Semiconductor RUU002N05T106 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.
Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.
Špecifikácia
| Typ | Popis |
|---|---|
| Séria | - |
| Balíček | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stav časti | Not For New Designs |
| Typ FET | N-Channel |
| Technológie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (max.) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | ±8V |
| Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Funkcia FET | - |
| Strata výkonu (max.) | 200mW (Ta) |
| Prevádzková teplota | 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balík zariadení dodávateľa | UMT3 |
| Balenie / puzdro | SC-70, SOT-323 |
Stav skladu: 2900
Minimum: 1
| Množstvo | Jednotková cena | Ext. cena |
|---|---|---|
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ |
||
Výpočet prepravného
40 USD od spoločnosti FedEx.
Príďte o 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne
Populárne modely
 |
ROHM Semiconductor |
Pridané do košíka!
Táto položka bola pridaná do košíka.