IPI320N20N3GAKSA1

POZNÁMKA: Rochester Electronics IPI320N20N3GAKSA1 je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	OptiMOS™
Balíček	Bulk
Stav časti	Active
Typ FET	N-Channel
Technológie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	34A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	10V
Rds On (max.) @ Id, Vgs	32mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	2.35 pF @ 100 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	136W (Tc)
Prevádzková teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balík zariadení dodávateľa	PG-TO262-3
Balenie / puzdro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 2428

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	IPI320N20N3GAKSA1 Rochester Electronics
	IPI35CN10N G IR (Infineon Technologies)
	IPI320N203G Rochester Electronics

Táto položka bola pridaná do košíka.