MTB30P06VT4G

POZNÁMKA: Rochester Electronics MTB30P06VT4G je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	-
Balíček	Bulk
Stav časti	Obsolete
Typ FET	P-Channel
Technológie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	30A (Tc)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	10V
Rds On (max.) @ Id, Vgs	80mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	2.19 pF @ 25 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	3W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa	D2PAK
Balenie / puzdro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 11342

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

	MTB30P06VT4 Rochester Electronics
	MTB30P06VT4G Rochester Electronics
	MTB30P06V Rochester Electronics
	MTB3N60ET4 Rochester Electronics
	MTB3N60E Rochester Electronics

Táto položka bola pridaná do košíka.