RS1E200BNTB

POZNÁMKA: ROHM Semiconductor RS1E200BNTB je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.

Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.

package

Špecifikácia

Typ	Popis
Séria	-
Balíček	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stav časti	Active
Typ FET	N-Channel
Technológie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C	20A (Ta)
Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds)	4.5V, 10V
Rds On (max.) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	3100 pF @ 15 V
Funkcia FET	-
Strata výkonu (max.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Prevádzková teplota	150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa	8-HSOP
Balenie / puzdro	8-PowerTDFN

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 374

Minimum: 1

Množstvo	Jednotková cena	Ext. cena
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ

Výpočet prepravného

40 USD od spoločnosti FedEx.

Príďte o 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne

Populárne modely

Táto položka bola pridaná do košíka.