Rectron USA / RM002N30DF
Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok
RM002N30DF
| Číslo dielu výrobcu: | RM002N30DF |
| Výrobca: | Rectron USA |
| Časť popisu: | MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V súlade s RoHS |
| Stav skladu: | Skladom |
| Odoslať z: | Hong Kong |
| Spôsob prepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- Rectron USA RM002N30DF je k dispozícii na chipnets.com. Predávame iba nový a originálny diel a ponúkame 1-ročnú záručnú dobu. Ak sa chcete dozvedieť viac o produktoch alebo uplatniť lepšiu cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat alebo nám pošlite cenovú ponuku.
Všetky komponenty elektroniky budú veľmi bezpečne zabalené vďaka antistatickej ESD ochrane.
Špecifikácia
| Typ | Popis |
|---|---|
| Séria | - |
| Balíček | Tape & Reel (TR) |
| Stav časti | Active |
| Typ FET | N-Channel |
| Technológie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 85A (Tc) |
| Napájacie napätie (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 4.5V, 10V |
| Rds On (max.) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 4345 pF @ 15 V |
| Funkcia FET | - |
| Strata výkonu (max.) | 187W (Tc) |
| Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balík zariadení dodávateľa | 8-DFN (5x6) |
| Balenie / puzdro | 8-PowerVDFN |
Stav skladu: Doručenie v ten istý deň
Minimum: 1
| Množstvo | Jednotková cena | Ext. cena |
|---|---|---|
Cena nie je k dispozícii, prosím o RFQ |
||
Výpočet prepravného
40 USD od spoločnosti FedEx.
Príďte o 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezplatná doprava na prvých 0,5 kg pre objednávky nad 150 $, nadváha bude účtovaná samostatne
Populárne modely
 |
Rectron USA |
Pridané do košíka!
Táto položka bola pridaná do košíka.